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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.36 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 1.35 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BFR183W | INFINEON |
功能相似  |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4249 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC4249 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4249 | TYSEMI |
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High gain: Gpe = 24dB (typ.) (f = 200 MHz) Excellent forward AGC characteristics |
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| 2SC4249TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC4249TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC4250 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN RF Transistor |
|
| 2SC4250 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV VHF MIXER APPLICATIONS) |
|
| 2SC4250_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type TV VHF Mixer Applications |
|
| 2SC4250FV | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 3 PIN, BIP RF Small Signal |
|
| 2SC4250FV(TPL3,Z) | TOSHIBA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor |
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