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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4210YTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC4211 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
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| 2SC4211-5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
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| 2SC4211-6 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
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| 2SC4211-7 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
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| 2SC4212 | PANASONIC |
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Silicon NPN triple diffusion planar type |
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| 2SC4213 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4213 | TYSEMI |
获取价格 |
High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). High DC current gain: hFE = 200 1200. |
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| 2SC4213 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHIG APPLICATIONS) |
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| 2SC4213_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications |
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