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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC4210-Y
2SC4210-Y PDF预览

2SC4210-Y

更新时间： 2024-09-26 13:04:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, 2-3F1A, SC-59, TO-26MOD, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC4210-Y 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.48
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SC4210-Y 数据手册

 浏览型号2SC4210-Y的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4210-Y的Datasheet PDF文件第3页 
                                                        
                                                        
                                                                     
                                                                     
2SC4210  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC4210  
Audio Power Amplifier Applications  
Unit: mm  
·
·
High DC current gain: h = 100~320  
FE  
Complementary to 2SA1621  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
35  
30  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
I
800  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
160  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
200  
C
T
150  
j
T
-55~150  
stg  
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
SC-59  
TOSHIBA  
2-3F1A  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
V
V
= 35 V, I = 0  
¾
¾
30  
¾
¾
¾
0.1  
0.1  
¾
mA  
mA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I = 10 mA, I = 0  
C B  
h
FE (1)  
V
V
= 1 V, I = 100 mA  
100  
¾
320  
CE  
C
DC current gain  
(Note)  
h
= 1 V, I = 700 mA  
35  
¾
¾
¾
¾
0.5  
0.8  
¾
FE (2)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
I
= 500 mA, I = 20 mA  
V
V
CE (sat)  
C
B
V
V
V
V
= 1 V, I = 10 mA  
0.5  
¾
¾
BE  
CE  
CE  
CB  
C
Transition frequency  
f
= 5 V, I = 10 mA  
120  
13  
MHz  
pF  
T
C
Collector output capacitance  
C
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
¾
¾
ob  
E
Note: h  
classification O: 100~200, Y: 160~320  
FE (1)  
Marking  
1
2003-03-25  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4210-Y(TE85L) TOSHIBA

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 		2SC4210-Y(TE85L)
2SC4210-Y(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,800MA I(C),SC-59
2SC4210YTE85L TOSHIBA

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