5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.88 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4210_03 | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Power Amplifier Applications |
|
| 2SC4210O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SC-59 |
|
| 2SC4210-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, 2-3F1A, SC-59, TO-26MOD |
|
| 2SC4210-O(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,800MA I(C),SC-59 |
|
| 2SC4210-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,800MA I(C),SC-59 |
|
| 2SC4210OTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
|
| 2SC4210OTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
|
| 2SC4210TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
|
| 2SC4210TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
|
| 2SC4210Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SC-59 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
