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2SC4185-U23

更新时间： 2024-10-02 14:46:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	38K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SUPERMINI-3

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2SC4185-U23 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SUPERMINI-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.3 pF	集电极-发射极最大电压：	14 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4185-U23 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4185

UHF OSCILLATOR AND VHF MIXER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC4185 is an NPN silicon epitaxial transistor intended for use

as a UHF oscillator and a mixer in a tuner of a TV receiver. The device

features stable oscillation and small frequency drift against any change

of the supply voltage and the ambient temperature.

PACKAGE DIMENSIONS

in millimeters

2.1 ± 0.1

1.25 ± 0.1

It is designed for use in small type equipments especially recom-

mended for Hybrid Integrated Circuit and other applications.

FEATURES

•

Low Noise

High Conversion Gain

Easy & economical mounting realizable with plastic mold package for

Hybrid IC.

Marking

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

VCB0

V^CE0

V^EB0

I^C

P^T

T^j

3.0

160

˚C

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

150

T^stg

–65 to +150

˚C

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

Characteristics

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

ICB0

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Test Conditions

0.1

µA

VCB = 15 V, IE = 0

hFE

100

2.0

1.0

180

VCE = 10 V, IC = 5 mA

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

1.5

GHz

VCE = 10 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz

Cob

1.3

hFE Classifications

Rank

Marking

hFE

U21

U22

U23

U22

40 to 80

60 to 120

90 to 180

Document No. P11190EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published February 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4186	NEC	获取价格	UHF OSCILLATOR AND UHF MIXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
2SC4186-T1T62	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4186-T1T63	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4186-T2T62	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4186-T2T64	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4186T62	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-323
2SC4186-T62	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4186T63	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-323
2SC4186-T63	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4186T64	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-323

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