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2SC4004_15

更新时间： 2022-02-26 13:29:24

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4004_15 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SC4004

CHARACTERISTICS

Tj=25

℃

unless

otherwise

specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

I_C=1mA , I_B=0

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V_CEO

Collector-emitter breakdown voltage

800

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

I_EBO

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=0.2A I_B=0.04A

V_CB=900V I_E=0

V_EB=7V; I_C=0

1.5

1.0

μA

h_FE-1

h_FE-2

f_T

I_C=0.05A ; V_CE=5V

I_C=0.5A ; V_CE=5V

DC current gain

I_C=0.05A;

V_CE=10V;f=1MHz

Transition frequency

MHz

Switching times

Turn-on time

1.0

3.0

1.0

μs

t_on

t_s

I_C=0.2A ;I_B1=0.04A

I_B2=-0.04A;

Storage time

Fall time

V_CC=250V

t_f

JMnic

123

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