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2SC3969/B

更新时间: 2024-11-14 21:12:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
2A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP, TO-220FP, 3 PIN

2SC3969/B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220FP包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:20 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:NOT SPECIFIED
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10 MHz
最大关闭时间(toff):3500 ns最大开启时间(吨):1000 ns
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SC3969/B 数据手册

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Transistors  
High Voltage Switching Transistor  
(400V, 2A)  
2SC3969 / 2SC5161  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = 0.15V (Typ.)  
(IC / IB = 1A / 0.2A)  
2) High breakdown voltage.  
VCEO = 400V  
3) Fast switching.  
tr = 1.0µs  
(IC = 0.8A)  
FStructure  
Three-layer, diffused planar type  
NPN silicon transistor  
(96-698-C14)  
236  

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