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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3416D-LS | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC3416D-LT | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC3416D-RA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC3416D-SA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC3416E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3416E-LT | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC3416E-RA | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC3416E-YA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC3416F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3416F-LT | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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