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2SC3253Q

更新时间： 2024-11-30 20:25:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB

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2SC3253Q 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.59最大集电极电流 (IC)：5 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：70
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SC3253Q 数据手册

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Ordering number : EN1199E  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
60V / 5A High-Speed Switching  
Applications  
2SA1289 / 2SC3253  
Applications  
•
Various inductance lamp drivers for electrical equipment.  
Inverters, converters (flash, fluorescent lamp lighting circuit).  
Power amp (high power car stereo, motor controller).  
High-speed switching (switching regulator, driver).  
•
•
•
Features  
• Low saturation voltage.  
• Excellent current dependence of h  
• Short switching time.  
.
FE  
Specifications ( ) : 2SA1289  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
(--)80  
(--)60  
(--)5  
(--)5  
(--)7  
1.75  
30  
V
V
I
A
C
Collector Current (Pulse)  
I
A
CP  
W
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
=(--)40V, I =0A  
Unit  
min  
max  
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
(--)0.1  
(--)0.1  
280*  
mA  
mA  
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=(--)4V, I =0A  
C
EBO  
h
FE  
=(--)2V, I =(--)1A  
70*  
C
Continued on next page.  
* : The 2SA1289/2SC3253 are classified by 1A h as follows :  
FE  
Rank  
Q
R
S
h
70 to 140  
100 to 200  
140 to 280  
FE  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
83006 MS IM TC-00000109 / 72006FA MS IM TC-00000062 / 73102TN (KT) / 71598HA (KT) / D051MH (KOTO)  
No.1199-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3253R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB
2SC3253-R ONSEMI

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2SC3253S ETC

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