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2SC3254Q

更新时间: 2024-01-17 20:28:56
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC /
页数 文件大小 规格书
2页 239K
描述
Transistor

2SC3254Q 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.29
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):70JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:35 W最大功率耗散 (Abs):35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

2SC3254Q 数据手册

 浏览型号2SC3254Q的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
2SC3254  
DESCRIPTION  
·Low Collector Saturation Voltage  
·Good Linearity of hFE  
·High Switching Speed  
·Complement to Type 2SA1290  
APPLICATIONS  
·Various inductance lamp drivers for electrical equipment  
·Inverters, converters  
·Power amplifier  
·Switching regulator, dirver  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emtter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
UNI
V
80  
60  
V
5
7
V
Collector Current-Continuous  
Collector Current-Pulse  
A
ICM  
10  
A
Collector Power Dissipation  
@ TC=25℃  
PC  
35  
W
TJ  
Junction Temperature  
150  
-55~150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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