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2SC3075(2-7B1A)

更新时间： 2024-11-14 15:28:03

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	168K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC3075(2-7B1A) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.8	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	4000 ns	Base Number Matches：	1

2SC3075(2-7B1A) 数据手册

2SC3075

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process)

2SC3075

Switching Regulator and High Voltage Switching

Applications

Unit: mm

DC-DC Converter Applications

DC-AC Converter Applications

•

Excellent switching times: t = 1.0 µs (max)

t = 1.5 µs (max), (I = 0.5 A)

High collector breakdown voltage: V

= 400 V

CEO

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

500

400

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

0.8

Collector current

Base current

Pulse

1.5

JEDEC

JEITA

―

0.5

Ta = 25°C

Tc = 25°C

1.0

Collector power

dissipation

TOSHIBA

2-7B1A

Junction temperature

150

°C

Weight: 0.36 g (typ.)

Storage temperature range

stg

−55 to 150

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-7J1A

Weight: 0.36 g (typ.)

2004-07-26

12 3 4 5

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