2SC3042

更新时间： 2024-01-22 13:20:28

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	103K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3042 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-218	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	100 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3042 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3042

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

I_C=10mA ;R_BE=∞

MIN

400

500

TYP.

MAX

UNIT

I_C=1mA ;I_E=0

I_E=1mA ;I_C=0

I_C=8A ;I_B=1.6A

V_CB=400V ;I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

1.0

1.5

μA

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE-1

DC current gain

I_C=1.6A ; V_CE=5V

I_C=8A ; V_CE=5V

I_E=0 ; V_CB=10V;f=1MHz

I_C=1.6A ; V_CE=10V

h_{FE -2}

DC current gain

C_OB

Output capacitance

160

f_T

Transition frequency

MHz

Switching times

t_onTurn-on time

t_s

1.0

2.5

1.0

μs

I_C=10A; I_B1=-I_B2=2A

R_L=20Ω,V_CC=200V

Storage time

Fall time

t_f

h_FE-1classifications

15-30

20-40

30-50

123 4

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