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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | RING EMITTER TRANSISTOR |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 32 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 2800 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3046 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB |
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| 2SC3047 | FUJI |
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TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SC3047 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3047 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3047 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3047_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3047_2014 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC304Q | SWST |
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功率三极管 |
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| 2SC3051 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-126 |
|
| 2SC3052 | ISAHAYA |
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LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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