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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC2881-Y-TP-HF
2SC2881-Y-TP-HF PDF预览

2SC2881-Y-TP-HF

更新时间： 2024-11-25 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 231K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SC2881-Y-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

2SC2881-Y-TP-HF 数据手册

 浏览型号2SC2881-Y-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2881-Y-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
2SC2881-O  
2SC2881-Y  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
NPN Silicon  
Power Transistors  
•
•
·
With SOT-89 package  
Power amplifier applications  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
SOT-89  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
120  
120  
5.0  
800  
Unit  
V
V
A
K
B
V
mA  
mA  
mW  
IB  
PC  
Base Current  
Collector power dissipation  
160  
500  
1000(Note 1)  
E
C
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
R
R
TSTG  
-55 to +150  
D
Note 1: Mounted on ceramic substrate (250mm2 x 0.8t)  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
G
H
J
F
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ.  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IE=1mAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=120Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
120  
5
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
1.BASE  
1
2
3
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
ON CHARACTERISTICS  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
hFE  
VCE(sat)  
VBE  
Forward Current Transfer ratio  
80  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
240  
1.0  
1.0  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
ꢀꢁꢂꢆ  
ꢁꢄꢇꢈꢃꢅꢆ  
ꢂꢉꢊꢆ  
ꢂꢂꢆ  
ꢄꢋꢌꢃꢅꢆ  
(IC=0.1Adc, VCE=5.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=0.5Adc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=0.5Adc, VCE=5.0Vdc)  
Transition Frequency  
(IC=0.1Adc, VCE=5.0Vdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=10V, IE=0, f=1MHz)  
ꢂꢁꢄꢆ  
ꢍꢎꢏꢐꢆ  
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---  
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fT  
120  
---  
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ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Cob  
30  
 ꢆ  
CLASSIFICATION OF HFE  
Rank  
Range  
Marking  
O
Y
120-240  
80-160  
CO1  
CY1  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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2SC2882_04 TOSHIBA

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