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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC2713G
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2SC2713G

更新时间： 2024-11-16 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA PC
页数 文件大小 规格书
4页 647K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SC2713G 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67Is Samacsys：N
JESD-30 代码：R-PDSO-G3端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

2SC2713G 数据手册

 浏览型号2SC2713G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2713G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC2713G的Datasheet PDF文件第4页 
2SC2713  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC2713  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
•
High voltage: V  
= 120 V  
CEO  
Excellent h  
linearity: h  
= 200~700  
(I = 0.1 mA)/h  
C
(I = 2 mA) = 0.95 (typ.)  
FE C  
FE  
FE  
High h  
h
FE: FE  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SA1163  
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
120  
120  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
5
V
I
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
20  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
C
T
j
125  
T
stg  
−55~125  
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
SC-59  
TOSHIBA  
2-3F1A  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba  
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 120 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
0.1  
0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
V
= 6 V, I = 2 mA  
200  
⎯
700  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= 10 mA, I = 1 mA  
⎯
⎯
⎯
⎯
100  
3.0  
0.3  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= 6 V, I = 1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
ob  
E
= 6 V, I = 0.1 mA  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
f = 1 kHz, R = 10 kΩ  
G
Note: h classification GR (G): 200~400, BL (L): 350~700  
FE  
Marking  
1
2007-11-01  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2713-G KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SC2713-G-HF KEXIN

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 		NPN Transistors
2SC2713GR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
2SC2713-GR TOSHIBA

获取价格

 		Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
2SC2713-GR(T5L,F,T) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC2713-GR(T5LDNGF TOSHIBA

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