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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.78 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 30 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2673/R | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2673C1 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2673C1/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2673C1/PQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2673C1/QR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2673C1/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2673C1P | ROHM |
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1000mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2673C1Q | ROHM |
获取价格 |
1000mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2675 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC2681 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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