2SC2681R

更新时间： 2024-11-18 13:04:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2SC2681R 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2681

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·Complement to type 2SA1141

·High transition frequency

APPLICATIONS

·Audio frequency power amplifier

·High frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

115

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

T_C=25℃

T_a=25℃

100

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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