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| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 3 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2670-OTPE4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC2670R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
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| 2SC2670-RTPE4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC2670TPE4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC2670Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
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| 2SC2671 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification) |
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| 2SC2671(F) | PANASONIC |
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UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN |
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| 2SC2671(H) | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC2671F | PANASONIC |
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For UHF Band Low-Noise Amplification |
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| 2SC2671F(2SC2671(F)) | ETC |
获取价格 |
小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 高周波増幅 |
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