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| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.75 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC2670-OTPE4 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC2670R | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
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| 2SC2670-RTPE4 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC2670TPE4 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC2670Y | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
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| 2SC2671 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification) |
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