2SC2671F

更新时间： 2024-11-17 21:55:19

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
For UHF Band Low-Noise Amplification

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2SC2671F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2671F 数据手册

Transistors

2SC2671F

Silicon NPN epitaxial planar type

For UHF band low-noise amplification

Unit: mm

5.0 0.2

4.0 0.2

■ Features

• Low noise figure NF

• High maximum unilateral power gain G_UM

• High transition frequency f_T

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

+0.15

0.45

–0.1

Collector-emitter voltage

(Resistor between B and E) ^*

V_CER

+0.6

2.5

–0.2

2.5

–0.2

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

°C

2 3

1: Base

2: Emitter

3: Collector

Collector current

I_C

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

600

TO-92-B1 Package

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) : R_BE= 1 kΩ

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Transition frequency

V_CB= 10 V, I_E= 0

V_EB= 1 V, I_C= 0

V_CE= 8 V, I_C= 40 mA

150

5.5

0.8

300

f_T

V_CE= 8 V, I_C= 40 mA, f = 0.8 GHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

3.5

GHz

Collector output capacitance

C_ob

1.5

(Common base, input open circuited)

Foward transfer gain

S_21e²V_CE= 8 V, I_C= 40 mA, f = 0.8 GHz

2.0

Maximum unilateral power gain

Noise figure

Second inter modulation distortion ^*

G_UM

V_CE= 8 V, I_C= 40 mA, f = 0.8 GHz

3.2

IM₂

V_CE= 8 V, I_C= 40 mA, f₁= 200 MHz

f₂= 500 MHz, V_O= 100 dBµ/75 Ω

Third inter modulation distortion ^*

IM₃

V_CE= 8 V, I_C= 40 mA, f₁= 600 MHz

f₂= 500 MHz, V_O= 100 dBµ/75 Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : See measurement circuit

Converter (75 Ω)

Signal generator

(50 Ω)

Mixer

(75 Ω)

Converter (75 Ω)

(50 Ω)

Spectrum

analyzer

Under

test part

Converter (75 Ω)

(50 Ω)

Signal generator

DC power

supply

Publication date: March 2003

SJC00122CED

12 3

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