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2SC2151

更新时间： 2022-09-17 09:37:01

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2151 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2151

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

400

TYP.

MAX

UNIT

I_C=10mA ; I_B=0

I_E=1mA ; I_C=0

I_C=10A; I_B=2A

V_CB=500V; I_E=0

V_EB=7V; I_C=0

1.5

2.0

0.1

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

I_C=7.5A ; V_CE=5V

I_C=0.5A ; V_CE=10V

f_T

Transition frequency

MHz

123

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