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2SC2139

更新时间： 2024-01-22 16:05:40

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	193K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC2139 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.87	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-609代码：	e0	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

2SC2139 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC2137

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

400

500

TYP.

MAX

UNIT

Collector-Emitter Breakdown Voltage I_C= 10mA; I_B= 0

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

I_C= 1mA; I_E= 0

I_E= 1mA; I_C= 0

I_C= 3A; I_B= 0.3A

I_C= 3A; V_CE= 5V

V_CB= 400V; I_E= 0

V_EB= 6V; I_C= 0

1.5

2.0

V_CE

(sat)

V_BE

(sat)

h_FE

I_CBO

Collector Cutoff Current

0.1

1.0

I_EBO

Emitter Cutoff Current

Switching Times

Rise Time

1.0

2.0

1.0

μs

t_r

t_stg

t_f

V_CC= 200V; I_B1= -I_B2= 0.3A;

R_L= 40Ω

Storage Time

Fall Time

isc Website：www.iscsemi.cn

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