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2SC1895

更新时间： 2024-10-14 07:30:27

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	128K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1895 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1895

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For color TV horizontal output applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

1500

600

UNIT

Collector-base voltage

Open emitter

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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