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2SC1904

更新时间： 2024-10-14 06:18:11

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	113K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1904 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1904

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SA899

APPLICATIONS

·For high frequency power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

150

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Open base

150

Open collector

50mA

P_D

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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