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2SC1623

更新时间： 2025-09-22 18:53:19

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南晶电子 - DGNJDZ		/
页数	文件大小	规格书
3页	1915K
描述
Pcm(mW) : 200; Ic(mA) : 100; BVCBO(V) : 60; BVCEO(V) : 50; BVEBO(V) : 5; Min : 90; Max : 600; VCE (sat) (v) : 0.3; Package Outline : SOT-323;

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2SC1623 数据手册

DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT–323

2SC1623 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

High DC current gain :h_FE=200(Typ)V_CE=6V, I_C=1mA

High voltage:V_CEO=50V

1. BASE

℃

MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

100

200

P_C

Operation Junction and

Storage Temperature Range

T_J,T_stg

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

I_C=100μA,I_E=0

I_C=1mA,I_B=0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=100μA,I_C=0

V_CB=60V,I_E=0

μA

0.1

600

0.3

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=5V,I_C=0

DC current gain

h_FE

200

V_CE=6V,I_C=1mA

I_C=100mA,I_B=10mA

V_CE=6V,I_C=10mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Transition frequency

MHz

250

CLASSIFICATION OF h_FE

135-270

200-400

300-600

Rank

90-180

Range

Marking

1/3

Dongguan Nanjing Electronics Ltd.

www.dgnjdz.com

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