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2SC1623-L6

更新时间： 2024-01-10 03:36:04
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 1159K
描述
NPN Transistors

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2SC1623-L6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.07
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

2SC1623-L6 数据手册

 浏览型号2SC1623-L6的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Type  
Transistors  
NPN Transistors  
2SC1623  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
3
Features  
High DC Current Gain:  
hFE = 200 TYP.  
1
2
+0.1  
-0.1  
+0.05  
-0.01  
0.95  
VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA  
High Voltage:  
0.1  
+0.1  
-0.1  
1.9  
VCE O = 50 V  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current (DC)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
60  
50  
5
V
V
100  
mA  
mW  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
200  
Tj  
150  
Storage temperature range  
Tstg  
-55 to +150  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
60  
50  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
V
V
V
CBO  
Ic= 100 μA， I  
Ic= 1 mA， I = 0  
= 100μA， I  
E= 0  
CEO  
EBO  
B
I
E
C= 0  
I
CBO  
EBO  
V
V
CB= 60 V , I  
EB= 5V , I  
E
= 0  
100  
100  
0.3  
1
nA  
V
I
C
=0  
Collector-emitter saturation voltage *  
Base - emitter saturation voltage *  
Base - emitter voltage *  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
=100 mA, I  
B
=10mA  
=10mA  
0.15  
0.86  
V
C
=100 mA, I  
B
V
BE  
V
V
V
V
CE= 6V, I  
CE= 6V, I  
CB= 6V, I  
CE= 6V, I  
C
= 1mA  
= 1mA  
0.55  
90  
0.7  
600  
DC current gain *  
hFE  
C
200  
3
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
T
E
= 0,f=1MHz  
= -10mA  
pF  
f
E
250  
MHz  
*. PW 350 us,duty cycle 2%  
hFE Classification  
Type  
Range  
Marking  
2SC1623-L4  
90-180  
L4  
2SC1623-L5  
135-270  
L5  
2SC1623-L6  
200-400  
L6  
2SC1623-L7  
300-600  
L7  
1
www.kexin.com.cn  
12

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