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2SC1623-L6_11

更新时间： 2024-02-13 10:16:18
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美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 329K
描述
NPN Silicon Epitaxial Transistors

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2SC1623-L6_11 数据手册

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M C C  
2SC1623-L6  
2SC1623-L7  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
NPN Silicon  
Epitaxial Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
•
•
·
High DC Current Gain: hFE=600 Max.(VCE=6.0V, I =1.0mA)  
C
High voltage: VCEO=50V  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
SOT-23  
Maximum Ratings  
A
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
60  
5.0  
100  
200  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
D
C
V
B
C
mA  
mW  
OC  
OC  
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
E
B
TJ  
F
E
TSTG  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
H
G
J
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
K
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
IEBO  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
ON CHARACTERISTICS  
hF  
DC Current Gain*  
---  
(I =1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
200  
---  
---  
0.15  
0.86  
600  
C
F
VCE(sat)  
VBE(SAT)  
VBE  
Collector Saturation Voltage*  
(I =100mAdc, I =10mAdc)  
G
H
J
0.3  
1.0  
0.65  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
pF  
C
B
.085  
.37  
Base Saturation Voltage*  
(I =100mAdc,I =10mAdc)  
K
---  
C
B
Suggested Solder  
Pad Layout  
Base Emitter Voltage*  
(VCE=6.0Vdc, I =1.0mAdc)  
0.55 0.62  
C
Collector Capacitance  
(VCB=6.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Gain Bandwidth product  
(VCE=6.0Vdc, IE=10mAdc)  
.031  
.800  
Cob  
fT  
---  
---  
3.0  
250  
.035  
.900  
---  
MHz  
.079  
2.000  
inches  
mm  
hFE CLASSIFICATION  
Marking  
hFE  
L6  
200-400  
L7  
400-600  
.037  
.950  
* Pulse Test PW<350us, duty cycle<2%  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC1623L6-A NEC

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2SC1623-L6-HF KEXIN

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 		NPN Transistors
2SC1623L6-L RENESAS

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 		2SC1623L6-L
2SC1623-L6-T MCC

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 		Transistor
2SC1623L6-T1B RENESAS

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 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SC1623L6-T1B-A RENESAS

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 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SC1623L6-T1B-AT RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236VAR
2SC1623L6-T2B RENESAS

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 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SC1623L6-T2B-A RENESAS

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 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SC1623-L6-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO

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