2SC1623L7

更新时间： 2024-01-30 01:34:53

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日电电子 - NEC		晶体晶体管光电二极管放大器
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6页	63K
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2SC1623L7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.09	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SC1623L7 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC1623

AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

High DC Current Gain: h^FE= 200 TYP.

(V^CE= 6.0 V, IC = 1.0 m A)

in m illim eters

2.8 ± 0.2

1.5

•

High Voltage: V^CEO= 50 V

+0.1

0.65

–0.15

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Maxim um Voltages and Current (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current (DC)

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

5.0

100

m A

Maxim um Power Dissipation

Total Power Dissipation

Marking

at 25 ˚C Am bient Tem perature P^T

Maxim um Tem peratures

200

150

m W

˚C

J unction Tem perature

Storage Tem perature Range

T^stg

–55 to +150 ˚C

1: Emitter

2: Base

3: Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Em itter Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

ICBO

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

UNIT

TEST CONDITIONS

VCB = 60 V, IE = 0

VEB = 5.0 V, IC = 0

µA

IEBO

0.1

hFE

200

0.15

0.86

0.62

250

3.0

600

0.3

VCE = 6.0 V, IC = 1.0 m A*

IC = 100 m A, IB = 10 m A*

VCE = 6.0 V, IC = 1.0 m A*

VCE = 6.0 V, IE = –10 m A

VCB = 6.0 V, IE = 0, f = 1.0 MHz

Collector Saturation Voltage

Base to Saturation Voltage

Base Em itter Voltage

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

VCE(sat)

VBE(sat)

VBE

1.0

0.55

0.65

MHz

Cob

* Pulsed: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2 %

hFE Classification

Marking

200 to 400

300 to 600

hFE

90 to 180

135 to 270

Document No. TC-1481C

(O.D. No. TC-5172C)

Date Published July 1995 P

Printed in Japan

1984

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC1623-L7	MCC	NPN Silicon Epitaxial Transistors	获取价格
2SC1623-L7	KEXIN	NPN Transistors	获取价格
2SC1623-L7	YANGJIE	SOT-23	获取价格
2SC1623L7-A	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL	获取价格
2SC1623-L7-HF	KEXIN	NPN Transistors	获取价格
2SC1623-L7-T	MCC	暂无描述	获取价格