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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC1623-L7
2SC1623-L7 PDF预览

2SC1623-L7

更新时间： 2024-02-19 13:03:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
NPN Silicon Epitaxial Transistors

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2SC1623-L7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

2SC1623-L7 数据手册

 浏览型号2SC1623-L7的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SC1623-L6  
2SC1623-L7  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
x
High DC Current Gain: hFE=600 Max.(VCE=6.0V, I =1.0mA)  
C
NPN Silicon  
Epitaxial Transistors  
High voltage: VCEO=50V  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
60  
5.0  
100  
200  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
SOT-23  
A
D
V
C
mA  
mW  
OC  
OC  
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
B
C
TJ  
TSTG  
E
B
F
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
H
G
J
OFF CHARACTERISTICS  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
K
DIMENSIONS  
MM  
IEBO  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
ON CHARACTERISTICS  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
hF  
DC Current Gain*  
---  
(I =1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
200  
---  
---  
0.15  
0.86  
600  
C
VCE(sat)  
VBE(SAT)  
VBE  
Collector Saturation Voltage*  
(I =100mAdc, I =10mAdc)  
0.3  
1.0  
0.65  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
pF  
C
B
F
G
H
J
Base Saturation Voltage*  
(I =100mAdc,I =10mAdc)  
---  
C
B
.085  
.37  
Base Emitter Voltage*  
K
(VCE=6.0Vdc, I =1.0mAdc)  
0.55 0.62  
C
Suggested Solder  
Pad Layout  
Collector Capacitance  
(VCB=6.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Gain Bandwidth product  
(VCE=6.0Vdc, IE=10mAdc)  
Cob  
fT  
---  
---  
3.0  
250  
.031  
.800  
---  
MHz  
.035  
.900  
.079  
2.000  
inches  
mm  
hFE CLASSIFICATION  
Marking  
hFE  
L6  
200-400  
L7  
400-600  
.037  
.950  
* Pulse Test PW<350us, duty cycle<2%  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 5  
2007/06/04  
12

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