Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC1623L7-TP

2SC1623L7-TP

更新时间： 2024-10-01 13:04:15

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	63K
描述
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC1623L7-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.09	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SC1623L7-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SC1623

Features

High DC Current Gain: h_FE=200 TYP.(V_CE=6.0V, I =1.0mA)

NPN Silicon

High voltage: V_CEO=50V

Epitaxial Transistors

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

5.0

100

200

-55 to +150

Unit

SOT-23

^OC

P_C

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_STG

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc,I_E=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=5.0Vdc, I_C=0)

---

0.1

uAdc

DIMENSIONS

I_EBO

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

ON CHARACTERISTICS

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

h_F

DC Current Gain*

---

(I =1.0mAdc, V_CE=6.0Vdc)

200

600

V_CE(sat)

V_BE(SAT)

V_BE

Collector Saturation Voltage*

(I =100mAdc, I =10mAdc)

---

0.15

0.86

0.3

1.0

0.65

---

Vdc

Base Saturation Voltage*

(I =100mAdc,I =10mAdc)

.085

.37

Base Emitter Voltage*

(V_CE=6.0Vdc, I =1.0mAdc)

0.55 0.62

Suggested Solder

Pad Layout

Collector Capacitance

(V_CB=6.0Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

Gain Bandwidth product

(V_CE=6.0Vdc, I_E=10mAdc)

C_ob

f_T

---

3.0

250

.031

.800

---

MHz

.035

.900

.079

2.000

inches

hFE CLASSIFICATION

Marking

h_FE

90-180

135-270

200-400

300-600

.037

.950

* Pulse Test PW<350us, duty cycle<2%

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: 2

2003/04/30

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与2SC1623L7-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC1623-L7-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN,
2SC1623-LL4	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SC1623-LL5	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SC1623-LL7	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SC1623L-X-AE3-R	UTC	获取价格	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON TRANSISTOR MINI MOLD
2SC1623Q	YEASHIN	获取价格	General Purpose Transistors
2SC1623R	YEASHIN	获取价格	General Purpose Transistors
2SC1623R3L	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SC1623R3L-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SC1623R4L-A	NEC	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3

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