2SC0829

更新时间： 2024-09-23 22:12:39

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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4页	105K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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2SC0829 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	230 MHz	Base Number Matches：	1

2SC0829 数据手册

Transistors

2SC0829 (2SC829)

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-frequency amplification

Unit: mm

5.0 0.2

4.0 0.2

■ Features

• Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage

of FM/AM radios

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

+0.15

0.45

–0.1

+0.6

2.5

–0.2

2.5

–0.2

2 3

Collector current

I_C

P_C

T_j

°C

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

400

150

TO-92-B1 Package

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Transition frequency

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 1 mA

150

250



f_T

V_CB= 10 V, I_E= −1 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= −1 mA, f = 10.7 MHz

230

1.3

MHz

Reverse transfer capacitance

(Common emitter)

C_re

1.6

Reverse transfer impedance

Z_rb

V_CB= 10 V, I_E= −1 mA, f = 2 MHz

Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

70 to 160

110 to 250

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2003

SJC00098CED

12 3 4

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2SC0829 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC829C	PANASONIC	功能相似	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC829B	PANASONIC	功能相似	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC829	PANASONIC	功能相似	Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC0829(2SC829)	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor
2SC0829\|2SC829	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - High-Frequency Amplifiers and Others
2SC0829B	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC0829C	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC085-0-65-127-70	ETC	获取价格	Analog IC
2SC1000	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-98VAR
2SC1000GTM	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),TO-92
2SC1000TM	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| TO-92
2SC1001	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 500MA I(C) \| TO-39
2SC1002	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors

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