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2SC1000GTM

更新时间: 2024-02-07 22:30:33
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
1页 62K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),TO-92

2SC1000GTM 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.69
最大集电极电流 (IC):0.15 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-609代码:e0
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.4 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):80 MHz
Base Number Matches:1

2SC1000GTM 数据手册

  
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