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2SC0829B

更新时间： 2024-02-21 09:43:18
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 99K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-B1, 3 PIN

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2SC0829B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：230 MHz
Base Number Matches：1

2SC0829B 数据手册

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Transistors  
2SC0829 (2SC829)  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For high-frequency amplification  
Unit: mm  
5.0 0.2  
4.0 0.2  
■ Features  
• Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage  
of FM/AM radios  
0.7 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
30  
+0.15  
+0.15  
0.45  
0.45  
–0.1  
–0.1  
+0.6  
+0.6  
2.5  
–0.2  
20  
V
2.5  
–0.2  
5
30  
V
1
2 3  
Collector current  
IC  
PC  
Tj  
mA  
mW  
°C  
°C  
1: Emitter  
2: Collector  
3: Base  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
400  
150  
TO-92-B1 Package  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
hFE  
Conditions  
Min  
30  
20  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Forward current transfer ratio *  
Transition frequency  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 2 mA, IB = 0  
V
IE = 10 µA, IC = 0  
VCE = 10 V, IC = 1 mA  
V
70  
150  
250  
fT  
VCB = 10 V, IE = −1 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = −1 mA, f = 10.7 MHz  
230  
1.3  
MHz  
pF  
Reverse transfer capacitance  
(Common emitter)  
Cre  
1.6  
60  
Reverse transfer impedance  
Zrb  
VCB = 10 V, IE = −1 mA, f = 2 MHz  
Ω
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
B
C
hFE  
70 to 160  
110 to 250  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: March 2003  
SJC00098CED  
1
1234

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与2SC0829B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC0829C PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC085-0-65-127-70 ETC

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 		Analog IC
2SC1000 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98VAR
2SC1000GTM TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),TO-92
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