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2SB988_15

更新时间： 2022-02-26 12:51:37

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锦美电子 - JMNIC		/
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3页	160K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB988_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB988

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For vertical output and general purpose

applicaitons

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Base current

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

Open emitter

Open base

-60

Open collector

-7

-3

I_B

-0.5

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-50~150

T_stg

12 3

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