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2SB992Y

更新时间: 2024-11-01 13:04:15
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无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
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2SB992Y 数据手册

 浏览型号2SB992Y的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon PNP Power Transistor  
2SB992  
DESCRIPTION  
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-  
: V(BR)CEO= -80V(Min)  
·Collector Power Dissipation-  
: PC= 40W@ TC= 25℃  
·Low Collector Saturation Voltage-  
: VCE(sat)= -0.5V(Max)@ IC= -4A  
·Complement to Type 2SD1362  
APPLICATIONS  
·High current switching applications.  
·Power amplifier applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
-100  
-80  
UNIT  
V
V
V
A
A
-5  
Collector Current-Continuous  
Base Current-Continuous  
-7  
IB  
-1  
Collector Power Dissipation  
@Ta=25℃  
1.5  
PC  
W
Collector Power Dissipation  
@TC=25℃  
40  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
-55~150  
TJ  
Tstg  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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