2SB992Y

更新时间： 2024-11-21 13:04:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2SB992Y 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB992

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -80V(Min)

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 40W@ T_C= 25℃

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -0.5V(Max)@ I_C= -4A

·Complement to Type 2SD1362

APPLICATIONS

·High current switching applications.

·Power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-80

UNIT

-5

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-7

I_B

-1

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

1.5

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

℃

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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