2SB995O

更新时间： 2024-01-01 14:36:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	232K
描述
Transistor

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2SB995O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB995O 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB995

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -100V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -2.0V(Max)@ I_C= -4A

·Complement to Type 2SD1355

APPLICATIONS

·Power amplifier applications.

·Recommended for 30W high-fidelity audio frequency

amplifier output stage.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-5

I_B

-0.5

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_J

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB995Y	ISC	暂无描述	获取价格
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