2SB994

更新时间： 2024-02-02 20:04:50

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	235K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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2SB994 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB994 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB994

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -60V(Min)

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 30W@ T_C= 25℃

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -1.0V(Max)@ I_C= -3A

·Complement to Type 2SD1354

APPLICATIONS

·Designed for audio frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-60

UNIT

-60

-7

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-3

I_B

-0.5

1.5

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

℃

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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