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2SB885_2014

更新时间： 2022-02-26 12:51:36

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描述
Silicon PNP Power Transistor

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2SB885_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistor

2SB885

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_CEsat

V_{BE sat}

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

-100

-110

TYP.

MAX

UNIT

I_C=-50mA, R_BE=∞

I_C=-5mA, I_E=0

I_C=-2.5A ,I_B=-5mA

V_CB=-80V, I_E=0

V_EB=-5V; I_C=0

-1.5

-2.0

-0.1

-3.0

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

I_C=-2.5A ; V_CE=-3V

V_CE=-5V, I_C=-2.5A

1500

f_T

Transition frequency

MHz

Switching times

t_on

t_stg

t_f

Turn-on time

0.7

1.3

1.5

μs

I_C=-2A ; V_CC=-50V

I_B1=-I_B2=-4mA;R_L=25Ω

Storage time

Turn-off time

123

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