是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SIP | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.77 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 0.7 A | 基于收集器的最大容量: | 20 pF |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 120 | JEDEC-95代码: | TO-126 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 5 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | NOT SPECIFIED | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | VCEsat-Max: | 0.4 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SB889F/QR | ROHM | Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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2SB889FP | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-126 |
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2SB889FQ | ROHM | Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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2SB889FR | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-126 |
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2SB891 | ROHM | LOW FREQ. POWER AMP. EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTOR |
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2SB891F | ROHM | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
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