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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.5 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5000 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SB888-AQ | ONSEMI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SB889F | ETC | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-80V, -0.7A) |
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| 2SB889F/P | ROHM | Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB889F/PQ | ROHM | Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB889F/Q | ROHM | 0.7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN |
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| 2SB889F/QR | ROHM | Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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pcf8563芯片功能说明、参数分析、引脚说明
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