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2SB887

更新时间： 2024-02-14 15:55:16

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	152K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB887 数据手册

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Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB887

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High DC current gain.

·Large current capacity and wide ASO.

·Low saturation voltage.

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·Motor drivers, printer

·Hammer drivers

·Relay drivers,

·Voltage regulator control

PINNING

PIN

1

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

2

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

3

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-110

-100

-6

UNIT

V

Open base

V

Open collector

V

Collector current (DC)

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-10

A

I_CM

-15

A

P_C

T_C=25℃

70

W

℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB887_15	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB887_2014	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB888	SANYO	Driver Applications	获取价格
2SB888-AA	ONSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
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