2SB886

更新时间： 2024-02-06 17:48:44

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	119K
描述
Silicon PNP Power Transistors 2SB886

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2SB886 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.03
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1500
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	40 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

2SB886 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB886

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SD1196

·DARLINGTON

·High DC current gain

·High current capacity and wide ASO

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

·Motor drivers, printer

·Hammer drivers

·Relay drivers,

·Voltage regulator control.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

CONDITIONS

VALUE

-110

-100

-6

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-8

I_CM

-12

T_C=25℃

P_C

Collector dissipation

1.75

150

T_j

Junction temperature

Storage temperature

℃

T_stg

-50~150

12 3

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