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2SB857_2014

更新时间： 2024-11-21 01:19:15

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB857_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB857 2SB858

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SD1133/1134

APPLICATIONS

·Low frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-70

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

2SB857

2SB858

-50

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-60

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

-4

I_CP

P_C

T_j

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-8

T_C=25℃

℃

150

-45~150

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB857\|2SB858	ETC	获取价格
2SB85772SS-E-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB85772SSL-E-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB85772SSL-P-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB85772SSL-Q-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB85772SS-P-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB85772SS-Q-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB857B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-220AB
2SB857-B-BP	MCC	获取价格	Power Bipolar Transistor,
2SB857-B-T6C-A-K	UTC	获取价格	Transistor