5秒后页面跳转
2SB857-C-T6C-K PDF预览

2SB857-C-T6C-K

更新时间: 2024-09-25 07:38:55
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 169K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126C, 3 PIN

2SB857-C-T6C-K 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SIP
包装说明:TO-126C, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.07最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHzBase Number Matches:1

2SB857-C-T6C-K 数据手册

 浏览型号2SB857-C-T6C-K的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB857-C-T6C-K的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB857-C-T6C-K的Datasheet PDF文件第4页 
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2SB857  
PNP SILICON TRANSISTOR  
SILICON PNP TRANSISTOR  
„
DESCRIPTION  
Low frequency power amplifier.  
Lead-free:  
2SB857L  
Halogen-free:2SB857G  
„
ORDERING INFORMATION  
Order Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free  
Halogen Free  
1
E
B
B
2
C
C
C
3
B
E
E
2SB857-x-T6C-K  
2SB857-x-TA3-T  
2SB857-x-TN3-R  
2SB857L-x-T6C-K  
2SB857L-x-TA3-T  
2SB857L-x-TN3-R  
2SB857G-x-T6C-K  
2SB857G-x-TA3-T  
2SB857G-x-TN3-R  
TO-126C  
TO-220  
TO-252  
Bulk  
Tube  
Tape Reel  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 4  
QW-R217-006.E  

与2SB857-C-T6C-K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB857-C-T6CR UTC

获取价格

SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857-C-T6CT UTC

获取价格

SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857-C-TA3-T UTC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2SB857-C-TN3-F-R UTC

获取价格

Transistor
2SB857-C-TN3-F-T UTC

获取价格

Transistor
2SB857-C-TN3-K UTC

获取价格

SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857-C-TN3-R UTC

获取价格

SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857-C-TN3-T UTC

获取价格

SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857D ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SB857-D-T6C-A-K UTC

获取价格

暂无描述