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2SB857-B-BP

更新时间： 2024-11-30 14:37:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 285K
描述
Power Bipolar Transistor,

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2SB857-B-BP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

2SB857-B-BP 数据手册

 浏览型号2SB857-B-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
Micro Commercial Components  
2SB857-B  
2SB857-C  
2SB857-D  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
PNP Silicon  
Power Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Low Frequency Power Amplifier  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
•
·
Moisure Sensitivity Level 1  
·Maximum Ratings  
TO-220  
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
C
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-50  
-70  
-5  
-4  
2.0  
V
V
V
A
W
R
B
S
F
Q
T
-55 to +150  
A
TSTG  
-55 to +150  
R
U
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
1
2
3
Symbol  
Parameter  
Min  
Type  
Max  
Units  
H
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-50mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=-50Vdc,IE=0)  
-50  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
K
-70  
-5  
---  
---  
Vdc  
V
L
J
---  
---  
-1  
uAdc  
uAdc  
D
R
G
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=-5Vdc, IC=0)  
-1  
N
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
VCE(sat)  
VBE  
Forward Current Transfer ratio  
DIMENSIONS  
(IC=-1Adc, VCE=-4Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-2mAdc, IB=-200mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-1Adc,VCE=-4Vdc)  
Transition frequency  
60  
---  
---  
---  
200  
-1  
---  
Vdc  
INCHES  
MIN MAX  
.560  
MM  
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
15.88  
10.67  
NOTE  
DIM  
A
.625  
.420  
.190  
B
C
.380  
.140  
---  
---  
---  
-1  
Vdc  
3.56  
4.82  
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
fT  
15  
---  
MHz  
(VCE=-4Vdc, IC=-500mA)  
G
H
J
.012  
0.30  
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
Classification OF hFE(1)  
Rank  
B
C
D
Range  
60-120  
100-200  
160-320  
.045  
1.15  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2014/02/18  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB857-B-T6C-A-K UTC

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 		Transistor
2SB857-B-T6CK UTC

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 		SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857-B-T6C-K UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic
2SB857-B-T6CR UTC

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 		SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857-B-T6CT UTC

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 		SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857-B-TA3-T UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2SB857-B-TN3-F-R UTC

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 		Transistor
2SB857-B-TN3-F-T UTC

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 		暂无描述
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