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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.06 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 9 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB834-GR-TF3-T | UTC |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SB834G-X-AB3-R | UTC |
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HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB834G-X-T60-K | UTC |
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HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB834G-X-TA3-T | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB834G-X-TF3-T | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB834G-X-TN3-R | UTC |
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HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB834G-Y-T60-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB834G-Y-TN3-R | UTC |
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Power Bipolar Transistor |
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| 2SB834I | FOSHAN |
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TO-251 |
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| 2SB834L-GR-AB3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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