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2SB774S

更新时间： 2024-02-18 09:16:51
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其他 - ETC 晶体晶体管放大器
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3页 62K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

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2SB774S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：290
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SB774S 数据手册

 浏览型号2SB774S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB774S的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SB0774 (2SB774)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
4.0 0.2  
5.0 0.2  
Features  
High emitter to base voltage VEBO  
I
G
.
G
Protective diodes and resistances between emitter and base can  
be omitted.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–30  
Unit  
V
0.45–+00..12  
0.45+–00..12  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–25  
V
1.27  
1.27  
–15  
V
–200  
mA  
mA  
mW  
˚C  
1 2 3  
1:Emitter  
IC  
–100  
2:Collector  
3:Base  
JEDEC:TO–92  
EIAJ:SC–43A  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
400  
2.54 0.15  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
µA  
V
VCB = –10V, IE = 0  
–1  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = –20V, IB = 0  
–100  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = –10µA, IE = 0  
–30  
–25  
–15  
210  
90  
IC = –2mA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*
hFE1  
VCE = –10V, IC = –2mA  
VCE = –2V, IC = –100mA  
IC = –100mA, IB = –10mA  
VCB = –10V, IE = 2mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
460  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
–0.5  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
150  
4
Collector output capacitance  
Cob  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
R
S
210 ~ 340  
290 ~ 460  
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
1
123

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