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2SB775

更新时间： 2024-02-25 11:52:40

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	148K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB775 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	85 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	140 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	18 MHz
Base Number Matches：	1

2SB775 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB775

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type 2SD895

·Wide area of safe operation

·Large current capability

APPLICATIONS

·85V/6A, AF 35W output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

CONDITIONS

VALUE

-100

-85

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-6

I_CM

-10

P_C

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

T_stg

-40~150

ꢀ

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB775D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 85V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-218VAR
2SB775E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 85V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-218VAR
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