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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB776_10 | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB776_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB776_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB776D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR |
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| 2SB776E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR |
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| 2SB776-E-T60-K | UTC |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB776-E-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| 2SB776G-E-TN3-R | UTC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SB776G-P-T60-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB776G-P-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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