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2SB776

更新时间： 2024-01-13 17:27:54

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	98K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB776 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84

2SB776 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB776

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type 2SD896

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·100V/7A, AF 40W output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

VALUE

-120

-100

-6

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-7

I_CM

-11

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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