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2SB1739(TP)

更新时间： 2024-11-12 03:06:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 49K
描述
Transistor,

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2SB1739(TP) 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.06最大集电极电流 (IC)：3 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：50
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：15 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

2SB1739(TP) 数据手册

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Ordering number : ENA0437A  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
Compact Motor Driver  
Applications  
2SB1739 / 2SD2720  
Features  
•
Low saturation voltage.  
•
Contains diode between collector and emitter.  
•
Contains bias resistance between base and emitter.  
•
Large current capacity.  
Specifications ( ) : 2SB1739  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
(--)40  
(--)30  
(--)6  
(--)3  
(--)5  
1
V
V
I
A
C
Collector Current (Pulse)  
I
A
CP  
W
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25°C  
15  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
=(--)30V, I =0A  
Unit  
min  
max  
I
V
V
V
V
V
(--)1.0  
µA  
CBO  
CB  
CE  
CE  
CE  
CB  
E
h
h
1
2
=(--)2V, I =(--)0.5A  
70  
50  
FE  
FE  
C
DC Current Gain  
=(--)2V, I =(--)2A  
C
Gain-Bandwidth Product  
f
T
=(--)2V, I =(--)0.5A  
C
100  
(55)40  
MHz  
pF  
V
Output Capacitance  
Cob  
=(--)10V, f=1MHz  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitterr Saturation Voltage  
Collector-to-Base Breakdown Voltage  
V
V
(sat)  
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=(--)2A, I =(--)100mA  
(--0.28)0.23 (--0.6)0.5  
(--)1.5  
CE  
B
(sat)  
=(--)2A, I =(--)100mA  
V
BE  
B
V
=(--)10µA, I =0A  
(--)40  
(--)40  
(--)30  
V
(BR)CBO  
E
V
1
=(--)10µA, R =∞  
BE  
V
(BR)CEO  
(BR)CEO  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
V
2
=(--)10mA, R =∞  
BE  
V
Diode Forwad Voltage  
V
I =(--)0.5A  
F
(--)1.5  
0.8  
V
F
Base-to-Emitter Resistance  
R
kΩ  
BE  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
83006 MS IM / 72006EA MS IM TC-00000064  
No. A0437-1/5  
12345

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与2SB1739(TP)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1739(TP-FA) ONSEMI

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR
2SB173B ETC

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 		Ge PNP Alloy Junction
2SB173C ETC

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 		Ge PNP Alloy Junction
2SB173D ETC

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 		Ge PNP Alloy Junction
2SB1740 SANYO

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2SB175 ETC

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